反向传输电容(Crss):227pF,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@4.5V,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):35W,输入电容(Ciss):2130pF,输出电容(Coss):302pF,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 227pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 输入电容(Ciss) | 2130pF | |
| 输出电容(Coss) | 302pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |