导通电阻(RDS(on)):120mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):16nC,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):35W,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |