反向传输电容(Crss):110pF@20V,导通电阻(RDS(on)):25mΩ@10V,15A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):23nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):893pF@20V,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,15A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 输入电容(Ciss) | 893pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |