反向传输电容(Crss):98pF,反向传输电容(Crss):72pF,导通电阻(RDS(on)):17mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):44mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):20nC@10V,栅极电荷量(Qg):11nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):21W,输入电容(Ciss):1160pF,输入电容(Ciss):1050pF,输出电容(Coss):155pF,输出电容(Coss):84pF,连续漏极电流(Id):16A,阈值电压(Vgs(th)):1.6V,阈值电压(Vgs(th)):1.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 输入电容(Ciss) | 1160pF | |
| 输入电容(Ciss) | 1050pF | |
| 输出电容(Coss) | 155pF | |
| 输出电容(Coss) | 84pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0733/个 |
| 50+ | ¥0.832/个 |
| 150+ | ¥0.729/个 |
| 500+ | ¥0.6/个 |
| 2500+ | ¥0.571/个 |
| 5000+ | ¥0.536/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.534
5000 PCS/盘
嘉立创补贴0.37%
一盘能省掉10元