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AGM60P30C
扩展库- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 厂家型号
- AGM60P30C
- 商品编号
- C18221394
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.002802千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):49mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):9.8nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):34W,输入电容(Ciss):740pF,输出电容(Coss):114pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):1.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 输出电容(Coss) | 114pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.942/个 |
| 50+ | ¥1.505/个 |
| 150+ | ¥1.329/个 |
| 500+ | ¥1.109/个 |
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| 5000+ | ¥0.952/个 |
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