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RC65D600E
扩展库- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 厂家型号
- RC65D600E
- 商品编号
- C18547819
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000363千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):0.4pF,导通电阻(RDS(on)):600mΩ,导通电阻(RDS(on)):600mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,技术路线:-,栅极电荷量(Qg):7nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):243pF,连续漏极电流(Id):4.8A,阈值电压(Vgs(th)):1.9V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 技术路线 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 输入电容(Ciss) | 243pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
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