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氮化镓MOS
扩展库- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 厂家型号
- CID18N65D
- 商品编号
- C22446733
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 商品毛重
- 0.000266千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):0.5pF,导通电阻(RDS(on)):100mΩ,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,技术路线:-,栅极电荷量(Qg):3.3nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):113W,输入电容(Ciss):125pF,连续漏极电流(Id):17A,阈值电压(Vgs(th)):1.7V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 技术路线 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 输入电容(Ciss) | 125pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.29/个 |
| 10+ | ¥6.82/个 |
| 30+ | ¥6.01/个 |
| 100+ | ¥5.19/个 |
| 500+ | ¥4.78/个 |
| 1000+ | ¥4.6/个 |
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