反向传输电容(Crss):2pF,导通电阻(RDS(on)):240mΩ,导通电阻(RDS(on)):240mΩ@8V,工作温度:-55℃~+150℃,技术路线:-,栅极电荷量(Qg):9.6nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:-,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):760pF,连续漏极电流(Id):6.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
反向传输电容(Crss) | 2pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ | |
导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@8V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
技术路线 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 9.6nC | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 760pF | |
连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |