反向传输电容(Crss):1.4pF,导通电阻(RDS(on)):95mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):125mΩ@4.5V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.2nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):5.2W,输入电容(Ciss):206pF,输出电容(Coss):29pF,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):1.65V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@4.5V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 5.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 206pF | |
| 输出电容(Coss) | 29pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.865/个 |
| 100+ | ¥0.646/个 |
| 300+ | ¥0.537/个 |
| 3000+ | ¥0.455/个 |
| 6000+ | ¥0.455/个 |
| 9000+ | ¥0.455/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.4186
3000 PCS/盘
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