反向传输电容(Crss):5.5pF,导通电阻(RDS(on)):98mΩ@20V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):59nC@20V,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):230W,输入电容(Ciss):1350pF,输出电容(Coss):68pF,连续漏极电流(Id):42A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@6mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@20V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 59nC@20V | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
耗散功率(Pd) | 230W | |
输入电容(Ciss) | 1350pF | |
输出电容(Coss) | 68pF | |
连续漏极电流(Id) | 42A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@6mA |