反向传输电容(Crss):6pF,导通电阻(RDS(on)):53mΩ@15V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):94nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):242W,输入电容(Ciss):2726pF,输出电容(Coss):100pF,连续漏极电流(Id):57A,阈值电压(Vgs(th)):3.6V@8.77mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 输入电容(Ciss) | 2726pF | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@8.77mA |