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FCH023N65S3L4
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FCH023N65S3L4
- 商品编号
- C898112
- 商品封装
- TO-247-4
- 商品毛重
- 0.00631千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):90pF@400V,导通电阻(RDS(on)):23mΩ@10V,37.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):222nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):175W,输入电容(Ciss):7160pF@400V,连续漏极电流(Id):75A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF@400V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,37.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 222nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 175W | |
| 输入电容(Ciss) | 7160pF@400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥110/个 |
| 3+ | ¥110/个 |
| 5+ | ¥110/个 |
| 30+ | ¥106/个 |
| 34+ | ¥106/个 |
| 36+ | ¥106/个 |
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