导通电阻(RDS(on)):18mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,漏源电压(Vdss):750V,耗散功率(Pd):554W,输入电容(Ciss):4659pF,输出电容(Coss):379pF,连续漏极电流(Id):138A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@20mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@18V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 耗散功率(Pd) | 554W | |
| 输入电容(Ciss) | 4659pF | |
| 输出电容(Coss) | 379pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 138A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@20mA |