反向传输电容(Crss):36pF,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12.5nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):1028pF,输出电容(Coss):46pF,连续漏极电流(Id):14.6A,阈值电压(Vgs(th)):2.9V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 36pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 30W | |
输入电容(Ciss) | 1028pF | |
输出电容(Coss) | 46pF | |
连续漏极电流(Id) | 14.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V@250uA |