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CS2N65A4
扩展库- 品牌名称
- 华润华晶
- 厂家型号
- CS2N65A4
- 商品编号
- C162392
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000454千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):6pF,导通电阻(RDS(on)):5Ω@10V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):9nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):35W,输入电容(Ciss):290pF,输出电容(Coss):31pF,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 输出电容(Coss) | 31pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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