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NTD20N03L27T4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTD20N03L27T4G
- 商品编号
- C99685
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000438千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):27mΩ@5V,10A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):18.9nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.75W,耗散功率(Pd):74W,输入电容(Ciss):1260pF@25V,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@5V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.9nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.75W | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 输入电容(Ciss) | 1260pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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