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SPD03N50C3
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- SPD03N50C3
- 商品编号
- C168883
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000481千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):1.4Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):38W,输入电容(Ciss):350pF,输出电容(Coss):150pF,连续漏极电流(Id):3.2A,阈值电压(Vgs(th)):3.9V@135uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@135uA |
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