反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):0.18Ω@10V,6A,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):7.5nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):430pF,输出电容(Coss):90pF,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.18Ω@10V,6A | |
工作温度 | - | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 30W | |
输入电容(Ciss) | 430pF | |
输出电容(Coss) | 90pF | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |