反向传输电容(Crss):54.4pF,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@10V,15A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12.56nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):34.7W,输入电容(Ciss):1345pF,输出电容(Coss):72.5pF,连续漏极电流(Id):25A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 54.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,15A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.56nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 1345pF | |
| 输出电容(Coss) | 72.5pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |