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SIF4N65F/T0-252
扩展库- 品牌名称
- SI(深爱)
- 厂家型号
- SIF4N65F/T0-252
- 商品编号
- C2149424
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.0001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):12pF,导通电阻(RDS(on)):2.5Ω@10V,数量:-,栅极电荷量(Qg):13.3nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):650pF,输出电容(Coss):55pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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