反向传输电容(Crss):97pF,导通电阻(RDS(on)):2.8mΩ@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):124nC@10V,漏源电压(Vdss):85V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):250W,输入电容(Ciss):6234pF,输出电容(Coss):1180pF,连续漏极电流(Id):220A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 97pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 124nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 85V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 250W | |
输入电容(Ciss) | 6234pF | |
输出电容(Coss) | 1180pF | |
连续漏极电流(Id) | 220A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |