导通电阻(RDS(on)):4.2mΩ@4.5V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):212nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):375W,连续漏极电流(Id):180A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@4.5V | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 212nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 375W | |
连续漏极电流(Id) | 180A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.06/个 |
10+ | ¥8.56/个 |
30+ | ¥7.61/个 |
100+ | ¥6.38/个 |
500+ | ¥5.95/个 |
800+ | ¥5.76/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.3
800 PCS/盘
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