导通电阻(RDS(on)):2.3mΩ@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):131nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):286W,连续漏极电流(Id):280A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 131nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 286W | |
连续漏极电流(Id) | 280A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.8/个 |
10+ | ¥9.14/个 |
30+ | ¥8.1/个 |
100+ | ¥6.87/个 |
500+ | ¥6.39/个 |
1000+ | ¥6.18/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.841
1000 PCS/盘
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