反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):350mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):20nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):14W,输入电容(Ciss):930pF,输出电容(Coss):55pF,连续漏极电流(Id):4.4A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 14W | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |