反向传输电容(Crss):3.8pF,导通电阻(RDS(on)):60mΩ,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):40nC,栅极电荷量(Qg):40nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):224W,输入电容(Ciss):1037pF,连续漏极电流(Id):44A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@18V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 224W | |
| 输入电容(Ciss) | 1037pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥12.608/个 |
| 10+ | ¥11.968/个 |
| 30+ | ¥11.584/个 |
| 90+ | ¥11.2/个 |
| 510+ | ¥11.016/个 |
| 990+ | ¥10.936/个 |
整盘
单价
整盘单价¥11.584
30 PCS/盘