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IMZA120R014M1HXKSA1-HXY
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- IMZA120R014M1HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C50346532
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.00669千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):29pF,导通电阻(RDS(on)):13mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):216nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):555W,输入电容(Ciss):3815pF,输出电容(Coss):239pF,连续漏极电流(Id):167A,阈值电压(Vgs(th)):2.9V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 216nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 555W | |
| 输入电容(Ciss) | 3815pF | |
| 输出电容(Coss) | 239pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 167A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥118.123/个 |
| 10+ | ¥112.689/个 |
| 30+ | ¥103.294/个 |
| 90+ | ¥95.095/个 |
| 92+ | ¥95.095/个 |
| 94+ | ¥95.095/个 |
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