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NTH4L025N065SC1
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTH4L025N065SC1
- 商品编号
- C5209034
- 商品封装
- TO-247-4
- 商品毛重
- 0.0083千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):19mΩ,导通电阻(RDS(on)):19mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):164nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):174W,输入电容(Ciss):3480pF,连续漏极电流(Id):99A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@18V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 164nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 174W | |
| 输入电容(Ciss) | 3480pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
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