反向传输电容(Crss):21pF,导通电阻(RDS(on)):17mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):293nC,栅极电荷量(Qg):293nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):517W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):202pF,连续漏极电流(Id):165A,阈值电压(Vgs(th)):3.8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 293nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 293nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 517W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | 202pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 165A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥97.83/个 |
| 10+ | ¥93.2/个 |
| 30+ | ¥85.19/个 |
| 90+ | ¥78.2/个 |
| 92+ | ¥78.2/个 |
| 94+ | ¥78.2/个 |
整盘
单价
整盘单价¥78.3748
30 PCS/盘
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