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ID:81A VDSS:1200V RDON:21mR N沟道

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品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: HC3M0021120K
商品编号: C41428803
商品封装: TO-247-4L
商品毛重: 0.008577千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):12pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-40℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):162nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):469W,输入电容(Ciss):4818pF,输出电容(Coss):180pF,连续漏极电流(Id):100A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3.6V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	12pF
导通电阻(RDS(on))	-
工作温度	-40℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	162nC
漏源电压(Vdss)	1200V
类型	1个N沟道
耗散功率(Pd)	469W
输入电容(Ciss)	4818pF
输出电容(Coss)	180pF
连续漏极电流(Id)	100A
配置	-
阈值电压(Vgs(th))	3.6V