反向传输电容(Crss):9pF,导通电阻(RDS(on)):79mΩ,工作温度:-40℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):46nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):1020pF,输出电容(Coss):80pF,连续漏极电流(Id):39A,阈值电压(Vgs(th)):2.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 9pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ | |
工作温度 | -40℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 46nC | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 150W | |
输入电容(Ciss) | 1020pF | |
输出电容(Coss) | 80pF | |
连续漏极电流(Id) | 39A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |