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ID:78A VDSS:1200V RDON:40mR N沟道
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HIMZA120R040M1HXKSA1
- 商品编号
- C42389169
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.00724千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):14pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ,工作温度:-40℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):131nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):405W,输入电容(Ciss):2101pF,输出电容(Coss):161pF,连续漏极电流(Id):78A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 405W | |
| 输入电容(Ciss) | 2101pF | |
| 输出电容(Coss) | 161pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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|---|---|
| 1+ | ¥42.847/个 |
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| 90+ | ¥40.568/个 |
| 92+ | ¥40.568/个 |
| 94+ | ¥40.568/个 |
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