反向传输电容(Crss):7.5pF,导通电阻(RDS(on)):14mΩ,导通电阻(RDS(on)):14mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):230nC,栅极电荷量(Qg):230nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):625W,输入电容(Ciss):5469pF,输出电容(Coss):235pF,连续漏极电流(Id):152A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 输入电容(Ciss) | 5469pF | |
| 输出电容(Coss) | 235pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 152A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥55.665/个 |
| 10+ | ¥47.88/个 |
| 30+ | ¥43.133/个 |
| 90+ | ¥39.158/个 |
| 92+ | ¥39.158/个 |
| 94+ | ¥39.158/个 |
整盘
单价
整盘单价¥43.133
30 PCS/盘