温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
ID:7A VDSS:1200V RDON:320mR N沟道
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HC1M320120D
- 商品编号
- C41428808
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.007652千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):4pF,导通电阻(RDS(on)):450mΩ,导通电阻(RDS(on)):450mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):23.5nC,栅极电荷量(Qg):23.5nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):324pF,输出电容(Coss):24pF,连续漏极电流(Id):7.6A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@18V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 输入电容(Ciss) | 324pF | |
| 输出电容(Coss) | 24pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥29.772/个 |
| 10+ | ¥25.547/个 |
| 30+ | ¥23.0325/个 |
| 90+ | ¥20.493/个 |
| 510+ | ¥19.322/个 |
| 990+ | ¥18.791/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥21.1899
30 PCS/盘
省
嘉立创补贴8%
一盘能省掉55.278元
库存总量
13 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车