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ID:7A VDSS:1200V RDON:320mR N沟道

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品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: HC1M320120D
商品编号: C41428808
商品封装: TO-247-4L
商品毛重: 0.007652千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):4pF,导通电阻(RDS(on)):450mΩ,导通电阻(RDS(on)):450mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):23.5nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):324pF,输出电容(Coss):24pF,连续漏极电流(Id):7.6A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	4pF
导通电阻(RDS(on))	450mΩ
导通电阻(RDS(on))	450mΩ@18V
工作温度	-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	23.5nC
漏源电压(Vdss)	1200V
类型	1个N沟道
耗散功率(Pd)	60W
输入电容(Ciss)	324pF
输出电容(Coss)	24pF
连续漏极电流(Id)	7.6A
配置	-
阈值电压(Vgs(th))	4V