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NTH4L032N065M3S
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTH4L032N065M3S
- 商品编号
- C32257348
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):9.2pF,导通电阻(RDS(on)):44mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):55nC,栅极电荷量(Qg):55nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):187W,输入电容(Ciss):1410pF,输出电容(Coss):114pF,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 输入电容(Ciss) | 1410pF | |
| 输出电容(Coss) | 114pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥41.27/个 |
| 10+ | ¥40.36/个 |
| 30+ | ¥39.75/个 |
| 90+ | ¥39.14/个 |
| 92+ | ¥39.14/个 |
| 94+ | ¥39.14/个 |
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