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SIC MOSFET 1200V40mΩ
扩展库- 品牌名称
- SICHAIN(清纯)
- 厂家型号
- SG2M040120LJ
- 商品编号
- C42456094
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.008138千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):4.5pF,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):60nC,栅极电荷量(Qg):60nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):268W,输入电容(Ciss):1820pF,连续漏极电流(Id):65A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 268W | |
| 输入电容(Ciss) | 1820pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
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|---|---|
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| 30+ | ¥16.07/个 |
| 90+ | ¥14.3/个 |
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