反向传输电容(Crss):24pF,导通电阻(RDS(on)):28mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):196nC,漏源电压(Vdss):900V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):484W,输入电容(Ciss):4415pF,输出电容(Coss):296pF,连续漏极电流(Id):116A,阈值电压(Vgs(th)):4.3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 196nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 484W | |
| 输入电容(Ciss) | 4415pF | |
| 输出电容(Coss) | 296pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 116A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥158.74/个 |
| 3+ | ¥158.74/个 |
| 5+ | ¥158.74/个 |
| 30+ | ¥151.12/个 |
| 32+ | ¥151.12/个 |
| 34+ | ¥151.12/个 |
整盘
单价
整盘单价¥139.0304
450 PCS/盘
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