温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
NTH4L070N120M3S
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTH4L070N120M3S
- 商品编号
- C19673850
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.00887千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):65mΩ,导通电阻(RDS(on)):65mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):57nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):80W,输入电容(Ciss):1230pF,连续漏极电流(Id):34A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.9V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@18V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 输入电容(Ciss) | 1230pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
53.39 / PCS库存总量
0 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车