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ID:117A VDSS:1200V RDON:33mR N沟道

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品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: HAIMZH120R030M1T
商品编号: C42389153
商品封装: TO-247-4L
商品毛重: 0.00718千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):26pF,导通电阻(RDS(on)):49mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):222nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):556W,输入电容(Ciss):4508pF,输出电容(Coss):214pF,连续漏极电流(Id):117A,阈值电压(Vgs(th)):4V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	26pF
导通电阻(RDS(on))	49mΩ
工作温度	-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	222nC
漏源电压(Vdss)	1200V
耗散功率(Pd)	556W
输入电容(Ciss)	4508pF
输出电容(Coss)	214pF
连续漏极电流(Id)	117A
阈值电压(Vgs(th))	4V