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碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET

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品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: IMZA65R048M1H-HXY
商品编号: C45896859
商品封装: TO-247-4L
商品毛重: 0.00647千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):19pF,导通电阻(RDS(on)):250mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):96nC,栅极电荷量(Qg):96nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1823pF,输出电容(Coss):190pF,连续漏极电流(Id):53A,阈值电压(Vgs(th)):4V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	19pF
导通电阻(RDS(on))	250mΩ
工作温度	-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	96nC
栅极电荷量(Qg)	96nC
漏源电压(Vdss)	650V
耗散功率(Pd)	-
输入电容(Ciss)	1823pF
输出电容(Coss)	190pF
连续漏极电流(Id)	53A
阈值电压(Vgs(th))	4V