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C2M0080120D
扩展库- 品牌名称
- FUXINSEMI(富芯森美)
- 厂家型号
- C2M0080120D
- 商品编号
- C22365189
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.008016千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
导通电阻(RDS(on)):98mΩ@20V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):71nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):192W,连续漏极电流(Id):36A,阈值电压(Vgs(th)):4V@5mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@5mA |
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