反向传输电容(Crss):24pF,导通电阻(RDS(on)):0.0086Ω@7.5V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):58nC@0V,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):3120pF,输出电容(Coss):280pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.0086Ω@7.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@0V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输入电容(Ciss) | 3120pF | |
| 输出电容(Coss) | 280pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥16.12/个 |
| 10+ | ¥15.74/个 |
| 50+ | ¥15.48/个 |
| 100+ | ¥15.23/个 |
| 102+ | ¥15.23/个 |
| 104+ | ¥15.23/个 |
整盘
单价
整盘单价¥14.2416
50 PCS/盘
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