反向传输电容(Crss):6.4pF,导通电阻(RDS(on)):8.5Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.9nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):319pF,输出电容(Coss):30pF,连续漏极电流(Id):1.2A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 输入电容(Ciss) | 319pF | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |