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8-Mbit超低能耗串行闪存
扩展库- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 厂家型号
- AT25EU0081A-SUN-T
- 商品编号
- C27437359
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000851千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
写周期时间(Tw):-,功能特性:硬件写保护,功能特性:绝对写保护,功能特性:写使能锁存,功能特性:软件写保护,功能特性:上电复位,块擦除时间(tBE):8ms,存储容量:8Mbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:1.65V~3.6V,待机电流:10.5uA,接口类型:SPI,擦写寿命:10000次,数据保留 - TDR(年):20年,时钟频率(fc):108MHz,页写入时间(Tpp):2ms
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 功能特性 | 硬件写保护 | |
| 功能特性 | 绝对写保护 | |
| 功能特性 | 写使能锁存 | |
| 功能特性 | 软件写保护 | |
| 功能特性 | 上电复位 | |
| 块擦除时间(tBE) | 8ms | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 1.65V~3.6V | |
| 待机电流 | 10.5uA | |
| 接口类型 | SPI | |
| 擦写寿命 | 10000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 时钟频率(fc) | 108MHz | |
| 页写入时间(Tpp) | 2ms |