串行闪存存储器,具备133MHz多I/O SPI和Quad I/O QPI DTR接口,支持多种SPI模式,有高性能、高安全性和灵活高效的存储架构实物图
串行闪存存储器,具备133MHz多I/O SPI和Quad I/O QPI DTR接口,支持多种SPI模式,有高性能、高安全性和灵活高效的存储架构缩略图
串行闪存存储器,具备133MHz多I/O SPI和Quad I/O QPI DTR接口,支持多种SPI模式,有高性能、高安全性和灵活高效的存储架构缩略图
串行闪存存储器,具备133MHz多I/O SPI和Quad I/O QPI DTR接口,支持多种SPI模式,有高性能、高安全性和灵活高效的存储架构缩略图
温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

串行闪存存储器,具备133MHz多I/O SPI和Quad I/O QPI DTR接口,支持多种SPI模式,有高性能、高安全性和灵活高效的存储架构

扩展库
品牌名称
ISSI(北京矽成)
厂家型号
IS25WP032D-JNLE-TR
商品编号
C37789898
商品封装
SOIC-8
商品毛重
0.00013千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
-

商品参数

写周期时间(Tw):-,功能特性:硬件写保护,功能特性:写使能锁存,功能特性:软件写保护,块擦除时间(tBE):-,存储容量:32Mbit,工作温度:-,工作电压:1.65V~1.95V,待机电流:10uA,接口类型:SPI,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):20年,时钟频率(fc):133MHz,页写入时间(Tpp):-

找到类似商品: 种查看类似商品
属性参数值其他
商品目录NOR FLASH
写周期时间(Tw)-
功能特性硬件写保护
功能特性写使能锁存
功能特性软件写保护
块擦除时间(tBE)-
存储容量32Mbit
工作温度-
工作电压1.65V~1.95V
待机电流10uA
接口类型SPI
擦写寿命100000次
数据保留 - TDR(年)20年
时钟频率(fc)133MHz
页写入时间(Tpp)-

数据手册PDF

放大查看

无法嵌入内容,点击此处查看。

预订参考价

5.82 / PCS

库存总量

0 PCS