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串行闪存存储器，支持标准SPI和高性能双/四SPI，具备灵活架构、高级安全特性、高性能、高效连续读取、空间高效封装和低功耗等特点
扩展库- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 厂家型号
- W25Q16JVSNIQ
- 商品编号
- C52207884
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 托盘
- ECCN
- EAR99
商品参数
写周期时间(Tw):-,功能特性:硬件写保护,功能特性:绝对写保护,功能特性:写使能锁存,功能特性:软件写保护,功能特性:上电复位,功能特性:电源锁定保护,块擦除时间(tBE):2000ms@(64KB),存储容量:16Mbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:50uA,接口类型:SPI,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):20年,时钟频率(fc):133MHz,页写入时间(Tpp):3ms
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 功能特性 | 硬件写保护 | |
| 功能特性 | 绝对写保护 | |
| 功能特性 | 写使能锁存 | |
| 功能特性 | 软件写保护 | |
| 功能特性 | 上电复位 | |
| 功能特性 | 电源锁定保护 | |
| 块擦除时间(tBE) | 2000ms@(64KB) | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 50uA | |
| 接口类型 | SPI | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 页写入时间(Tpp) | 3ms |