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MS2N7002M3
扩展库- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 厂家型号
- MS2N7002M3
- 商品编号
- C2836341
- 商品封装
- SOT-723
- 商品毛重
- 0.000011千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):4Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@25V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):40pF,输出电容(Coss):30pF,连续漏极电流(Id):0.34A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@25V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.15W | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.34A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
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