导通电阻(RDS(on)):350mΩ@4.5V,890mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):310mW,输入电容(Ciss):120pF@16V,连续漏极电流(Id):750mA,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@4.5V,890mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 310mW | |
输入电容(Ciss) | 120pF@16V | |
连续漏极电流(Id) | 750mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.507/个 |
50+ | ¥0.497/个 |
150+ | ¥0.49/个 |
500+ | ¥0.461/个 |
510+ | ¥0.461/个 |
520+ | ¥0.461/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.42412
8000 PCS/盘
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