反向传输电容(Crss):119pF,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15.5nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):62.5W,输入电容(Ciss):314pF,连续漏极电流(Id):19.8A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 119pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 314pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.737/个 |
| 10+ | ¥0.484/个 |
| 30+ | ¥0.34/个 |
| 100+ | ¥0.287/个 |
| 500+ | ¥0.263/个 |
| 1000+ | ¥0.249/个 |
| 3000+ | ¥0.246/个 |
| 6000+ | ¥0.244/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.246
3000 PCS/盘