反向传输电容(Crss):5.05pF@30V,导通电阻(RDS(on)):18.8mΩ@10V,3A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5.7nC@10v,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):333pF@30V,连续漏极电流(Id):24A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.05pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.8mΩ@10V,3A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.7nC@10v | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 333pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |