反向传输电容(Crss):32pF@20V,导通电阻(RDS(on)):18.7mΩ@4.5V,7.5A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):26.5nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):61W,输入电容(Ciss):1734pF@20V,连续漏极电流(Id):49A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.7mΩ@4.5V,7.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 61W | |
| 输入电容(Ciss) | 1734pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.59/个 |
| 10+ | ¥6.37/个 |
| 30+ | ¥5.7/个 |
| 100+ | ¥4.94/个 |
| 500+ | ¥4.61/个 |
| 1500+ | ¥4.45/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.094
1500 PCS/盘
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